试验应在电波暗室(模拟开阔场)中进行。

GB/T 33014.2-2016

通常在电波暗室内部的反射表面铺设吸波材料.地面可以铺设或不铺设吸波材料.但要保证在试验区域内反射能量比直射能量至少低10dB。

试验应在电波暗室(ALSE)中进行。

GB/T 33014.2-2025

ALSE是为了模拟开阔场试验而建立的一个独立的电磁兼容试验场地。通常ALSE是一个内部反射表面都装有吸波材料的屏蔽室，地面除外。但是，地面也可选择铺设最大厚度不超过25mm的平整的铁氧体砖

场强标定和被测装置(DUT)试验应在相同配置的ALSE中进行。

在试验区域内反射能量比入射能量要至少低10dB。

注:为了实现这一目标，在使用频率范围内,墙壁和天花板的吸波材料性能一般大于或等于6dB。IEEESTD1128-1998中描述了评估吸波材料的试验方法。

概述：

使用天线及可产生所需要场强的射频(RF)能量源来形成辐射电磁场。需要一组天线和多个射频(RF)放大器来覆盖试验频率范围。为确保试验电平，应采用小型探头监测场强。为减少试验误差DUT的工作状态通常通过光纤耦合器进行监测。

概述：

使用天线及可产生所需要场强的射频(RF)能量源来形成辐射电磁场。可能需要一组天线和多个射频功率放大器来覆盖试验频率范围。

场探头:应具有电小尺寸和各向同性特征，探头的传输线应为光纤或是高阻抗的电缆。

场强探头:应是电小尺寸(与波长相比)各向同性且具有三个正交轴。探头的传输线应为光纤。

场发生装置(天线)的位置

天线相位中心的高度应在接地平板上方(100±10)mm的位置。天线辐射振子的任何部分距离地面不小于250mm。天线的辐射振子距离任何吸波材料都应大于500mm,与屏蔽壳体的墙壁或天花板的距离不小于1500mm。线束与天线的距离应为(1000士10)mm,可选择以下位置进行测量:

√ 双锥天线相位中心(中点);

√ 对数周期天线最近的部分;

√ 喇叭天线最近的部分。

频率范围在80 MHz~1-000-MHz内的天线，其相位中心应与线束纵向部分(1500-mm)的中心成一条直线。频率在1000 MHz以上的天线.其相位中心应与DUT成一条直线。

场发生装置(天线)的位置

√ 天线相位中心应在接地平板上方(100士10)mm的高度。

√ 天线辐射振子的任何部分距离地面都应不小于250mm。天线辐射振子(不包括喇叭天线的后部)距离任何吸波材料应大于500mm。被测线束与天线的距离应为(1000士10)mm。

接地平板的描述更新

2016版中，“接地平板应采用至少0.5mm厚的紫铜、黄铜、青铜或镀锌钢板，最小宽度1000mm，最小长度2000mm，或者比整个设备的各边大200mm，取两者中尺寸较大的平板。”

在2025版中更新为“接地平板应采用至少0.5mm厚的紫铜、黄铜、青铜或镀锌钢板，最小宽度应为1000mm,或者比整个试验布置[DUT和相关设备(比如含电源线的被测线束、位于试验台上的模拟负载和AN),不包括蓄电池和/或电源]在水平面上的投影宽度大200mm,尺寸取两者中较大者。最小长度2000mm,或者比整个试验布置[DUT和相关设备(比如含电源线的被测线束、位于试验台上的模拟负载和AN),不包括蓄电池和/或电源]在水平面上的投影长度大200mm,尺寸取两者中较大者。”

场天线装置的位置描述更新

删除了天线与屏蔽壳体的墙壁或天花板之间的距离要求（原2016版中，规定天线与屏蔽壳体的墙壁或天花板的距离不小于1500mm），删除了喇叭天线的后部距离吸波材料间的距离要求。

电源和人工网络(AN)、高压人工网络(HV-AN)、人工电源网络(AMN)和不对称人工网络(AAN)

（1）DUT的每根电源线应通过HV-AN(DCHV供电的DUT)和/或AMN(AC供电的DUT)连接到电源上。

—DCHV供电应通过5μH/50Ω的 HV-AN连接到DUT(原理图见ISO11452-1:2015附录B)

—AC供电应通过50μH/50Ω的AMN连接到DUT(原理图见ISO11452-1:2015附录B)。

（2）HV-AN应直接安装在接地平板上。HV-AN的外壳应与接地平板搭接。

（3）宜使用车辆高压电池;若使用外部高压电源则应通过馈通滤波器连接。高压直流电源线正极(HV+)、高压直流电源线负极(HV-)和交流三相电源线等屏蔽供电线可采。

（4）高压直流电源线正极(HV+)、高压直流电源线负极(HV-)和交流三相电源线等屏蔽供电线可采用单独的同轴电缆分别屏蔽,也可采用共同屏蔽,具体取决于所使用的连接器系统。

（5）试验中使用的屏蔽线束应按试验计划规定,代表车辆线束结构和连接器端接的典型应用情况。除非另有规定,屏蔽线束的屏蔽层应与HV-AN外壳360°环接。

（6）当在高压电源线上使用电源滤波器时,应注意电源滤波器会增加HV+和接地或HV-和接地之间的共模电容,这可能导致额外的谐振产生。

（7）对于充电机,AMN应直接放置在接地平板上。AMN的外壳应与接地平板搭接。充电机的PE线(保护地)应搭接到接地平板并与AMN的PE连接。

（8）每个HV-AN/AMN的测量端子都应端接50Ω负载。

DUT的位置

（1）除非试验计划另有规定,DUT应直接放在接地平板上,DUT外壳直接或通过规定的阻抗与接地平板连接。

（2）DUT前端与接地平板边沿的距离应为(200±10)mm。如果是充电机,充电机外壳应与接地平板搭接。

试验线束的位置

（1）规定了线束的长度，高、低压线束的长度应为1700mm-2000mm，且高压线束平行于接地平板前沿的高压线束长度为1500mm±75mm，DUT和电机之间的三相线不大于1000mm。

（2）若高压线束超过2000mm，,其长度宜在试验计划中定义,并在试验报告中记录。所有试验线束应放置在非导电、低相对介电常数≤1.4的材料上，位于接地平板上方50±5mm的位置。

（3）接地平板前边沿和DUT连接器之间线束的详细布置应在试验计划中规定，试验中使用的屏蔽线束的线缆结构和连接器端接应代表实车上的典型应用,并在试验计划中规定。

（4）低压试验线束的长段部分应平行于接地平板前边沿放置且距离前边沿为(100±10)mm，高压试验线束的长段部分应放置在与低压试验线束距离100mm-200mm的位置。除非试验计划另有规定,这种配置也应测试:高压试验线束长段部分与接地平板前边沿平行且距离前边沿(100±10)mm,低压试验线束与高压试验线束的距离为100mm-200mm。

（5）对于逆变器/充电机(例如带信号连接的车载充电机)，(2025版中第八章的图6、图9、图12)给出了其连接高压模拟负载、低压模拟负载和AC电源的布置示例，AC电源线到最近的试验线束(LV或HV)之间的距离应为100mm-200mm，可根据高压部件的实际应用进行各种组合布置。

（6）除非试验计划另有规定,逆变器/充电机(2025版中第八章的图6、图9、图12)的AC电源线应距天线最远(在低压和高压线束后面)。

备注：该内容详见2025版第八章节，原2016版第八章节的关于试验方法内容现变更为2025版的第九章节。

试验计划

在进行试验之前应制定试验计划，包括以下内容:

√ 试验布置;

√ 频率范围:

√ DUT的运行模式;

√ DUT的验收准则;

√ 试验严酷等级;

√ DUT的监测条件;

√ 天线的位置;

√ 试验报告的内容;

√ 其他特别说明及相对标准试验的差异。

每个DUT应在最典型的条件下进行试验，即至少在待机模式和DUT所有功能处于工作的模式下进行试验。

试验计划

试验之前应制定试验计划，包括以下内容:

√ 试验布置;

√ 频率范围;

√ DUT的工作模式;

√ DUT的验收准则;

√ 试验严酷等级;

√ DUT的监测条件;

√ 模拟负载的细节;

√ DUT附近试验线束的详细布置;

√ 信号线与AAN的详细布置(如使用);

√ 天线的位置;

√ 试验报告的内容;

√ 其他特别说明及与标准试验的差异。

每个DUT都应在其详述的工作模式下进行试验·并在试验计划中详细规定。

备注；AAN是不对称人工网络(ISN 阻抗稳定网络)的简称，而AMN是人工电源网络(LISN 线路阻抗稳定网络)的简称。

试验规程

一般规定

警告:试验区域内可能存在危险的电压和电磁场;应确保满足人体暴露于RF能量的限值要求。

备注：以最常用的公众暴露限值为例，对比ICNIRP导则和国标GB 8702-2014，例如，在30MHz-400MHz频段内，ICNIRP的功率密度限值是2W/m²，GB8702-2014的功率密度限制是0.4W/m²；在400MHz-2000MHz频段内，ICNIRP的功率密度限值是f/200W/m²，GB8702-2014的功率密度限值也是f/200W/m²；在2000MHz-3000GHz频段内，ICNIRP的功率密度限值是10W/m²，GB8702-2014的功率密度限值是0.4W/m²。

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